国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“一种电容器结构及制作方法”的专利，公开号CN122180082A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种电容器结构及制作方法，形成上层TiN层之前于电容介质层上形成硅掺杂氮化钛层，硅掺杂氮化钛层能够阻挡上层TiN层夺取电容介质层中的氧原子造成氧空位，并且，硅掺杂氮化钛层中的硅原子会进入电容介质层中提高氧空位形成能和迁移能垒，避免氧空位造成的漏电，提高电容器的性能和可靠性。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目184次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1066条，此外企业还拥有行政许可56个。

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