国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“沟槽型电容器的制作方法”的专利，公开号CN122602515A，申请日期为2026年4月。专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽型电容器的制作方法，包括：在衬底中形成STI结构，从俯视角度观察，STI结构的形状为网状；在STI结构围绕区域的衬底中形成凹槽，凹槽的深度深于STI结构的深度，凹槽的深度和宽度的比值大于4；形成高k介质层，高k介质层覆盖凹槽和STI结构暴露的区域，高k介质层的介电常数大于4；在高k介质层上形成多晶硅层，多晶硅层填充凹槽且多晶硅层最低处的顶部高于高k介质层最高处的顶部；进行平坦化处理，直至STI结构暴露，去除凹槽外的高k介质层和多晶硅层，凹槽内的多晶硅层构成电容器的第一电极，凹槽内的高k介质层构成电容器的电容

国家知识产权局信息显示，贵州梅岭电源有限公司取得一项名为“一种锂离子电容器高温压力化成工艺”的专利，授权公告号CN119274991B，申请日期为2024年10月。天眼查资料显示，贵州梅岭电源有限公司，成立于2000年，位于遵义市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本33579万人民币。通过天眼查大数据分析，贵州梅岭电源有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目1363次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息850条，此外企业还拥有行政许可17个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

证券之星消息，火炬电子(603678)06月29日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。投资者提问：作为公司股东，最近反复阅读了公司2025年年报以及2026年一季报，也了解了公司旗下多个子公司在先进电容电阻方面取得重大进步，有些产品取得国内最先进部分国际先进的地位。作为股东非常关注公司的发展情景，想详细了解公司在高端电容产品方面是否可以摆脱代理模式，公司在高端电容特别是适配于ai服务器的高端电容方面取得哪些进步和成就？是否有相关产品得到国内外ai服务器公司的青睐？火炬电子回复：您好，公司自产成熟电容器产品包括陶瓷电容、超级电容、薄膜电容、钽电容等，下游应用广泛，覆盖电力电网、轨道交通、工业控制、清洁能源、汽车电子及特种等领域，未来公司将紧贴市场需求，持续加大研发资源投入，不断迭代升级自产

｜2026年8月18日 星期二｜NO.1天风证券：薄膜电容器规模持续高增 国产替代加速推进天风证券8月18日研报指出，2024年全球电容器市场规模达2615亿元，其中薄膜电容器规模289亿元，同比增长11.0%，预计未来五年复合增速10.9%，为增速最快的电容品类。中国薄膜电容器2024年市场规模132亿元，预计2029年达277亿元，2025年—2029年复合增长率15.4%。行业竞争激烈且集中，呈现“高端市场外资龙头领跑、新能源赛道国产厂商快速崛起”的特征，2026年以来进入普遍涨价周期。NO.2华泰证券：3D打印延续高增，PLA迎新机遇华泰证券8月18日研报表示，伴随中国3D打印机企业产品力提升以及消费的普及，2026年上半年我国3D打印设备产量与出口量保持高速增长。设备保有量提升、多

国家知识产权局信息显示，平高集团有限公司取得一项名为“一种电容器支撑连接结构和断路器”的专利，授权公告号CN116130265B，申请日期为2022年12月。天眼查资料显示，平高集团有限公司，成立于1996年，位于郑州市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本391031万人民币。通过天眼查大数据分析，平高集团有限公司共对外投资了47家企业，参与招投标项目10966次，财产线索方面有商标信息156条，专利信息4173条，此外企业还拥有行政许可91个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

国家知识产权局信息显示，上海奥威科技开发有限公司取得一项名为“一种超级电容器的老化性能测试方法、装置、设备和存储介质”的专利，授权公告号CN117192251B，申请日期为2023年9月。天眼查资料显示，上海奥威科技开发有限公司，成立于1998年，位于上海市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本8255.73万人民币。通过天眼查大数据分析，上海奥威科技开发有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目45次，财产线索方面有商标信息26条，专利信息235条，此外企业还拥有行政许可63个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“高电容混合键合电容器件”的专利，公开号CN122439468A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，提供了用于将嵌入在高K介电材料中的金属键合焊盘混合键合以形成高电容器件的技术。例如，一种器件包括键合到第二半导体结构的第一半导体结构，以及位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的界面部分处的多个金属焊盘。所述多个金属焊盘设置在高K介电层中。所述多个金属焊盘和所述高K介电层包括至少一个电容器。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

国家知识产权局信息显示，佛山市顺德区创格电子实业有限公司取得一项名为“一种低电感电容器”的专利，授权公告号CN224595381U，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种低电感电容器，包括芯子元件及电极引出组件，电极引出组件包括第一导电片、第二导电片、绝缘件及电性连接带，第一导电片贴合于芯子元件的顶端端面，第一导电片上设有第一电极连接柱；绝缘件贴合于第一导电片的端面，第二导电片贴合于绝缘件上，电性连接带两端分别与第二导电片以及芯子元件电性连接，第二导电片上设有第二电极连接柱。该电容器在装配时，将第一导电片贴合于芯子元件顶端，第二导电片经绝缘件层叠于第一导电片上，并通过电性连接带连接于芯子元件底端。以使第一电极连接柱以及第二电极连接柱与芯子元件的连接面积增大，分散电流，降

国家知识产权局信息显示，深圳市纬迪实业发展有限公司申请一项名为“一种提高陶瓷电容器绝缘电阻的方法及系统”的专利，公开号CN122135842A，申请日期为2026年2月。专利摘要显示，本发明提出了一种提高陶瓷电容器绝缘电阻的方法及系统，涉及陶瓷电容器技术领域，获取电容器使用场景数据，对电容器使用场景数据进行场景判定分析，获得场景判定分析数据，根据场景判定分析数据进行陶瓷材料分析，获得陶瓷材料分析数据；根据陶瓷材料分析数据进行陶瓷结构尺寸分析调节，获得多种分析调节数据，根据多种分析调节数据进行尺寸杂质联合分析，获得尺寸杂质联合分析调节数据；根据尺寸杂质联合分析调节数据进行生产流程杂质分析调节，获得绝缘电阻提高数据，本发明实现了绝缘电阻的多环节协同、场景驱动能力。天眼查资料显示，深圳市纬迪实业发

国家知识产权局信息显示，西安高压电器研究院股份有限公司取得一项名为“一种高压电容器介质损耗评估方法及相关装置”的专利，授权公告号CN122286397B，申请日期为2026年5月。天眼查资料显示，西安高压电器研究院股份有限公司，成立于2001年，位于西安市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本31657.9466万人民币。通过天眼查大数据分析，西安高压电器研究院股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目4226次，财产线索方面有商标信息31条，专利信息629条，此外企业还拥有行政许可84个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。