南亚科技申请半导体装置,冗余电容器阵列可替换修复常规电容器阵列或调整电容器值:电容器

金融界2025年5月27日消息,国家知识信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的,公开号CN120048825A,申请日期为2024年03月电容器

摘要显示,本发明提供一种半导体装置电容器 。此半导体装置包括封装基板、中介层、氧化物层和顶部导电层。中介层设置于封装基板上。中介层包括多个常规电容器阵列和多个冗余电容器阵列。常规电容阵列位于中介层中,其中各常规电容阵列包含多个常规电容器。各常规电容器包括下电极、介电层以及上电极,其中介电层由下电极包围,并且上电极由介电层包围。冗余电容阵列位于中介层且位于常规电容阵列周围,其中各冗余电容阵列包含多个冗余电容器。冗余电容器阵列可以替换和/或修复损坏的常规电容器阵列,或者可以调整电容器值。

来源:金融界

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